探究GAN服务器命名奥秘，揭秘服务器halt背后的真实身份

GAN的服务器叫什么

1、英飞凌的 CoolGaN™ 系列产品凭借其卓越的可靠性，600 V 器件通过了严格的认证程序，其高效能和长久的使用寿命在各种应用场景中，如电信、服务器以及移动电源领域，成为理想的选择。

2、NSD2621 是一款专为 E-mode GaN 开关管设计的高压半桥栅极驱动芯片，旨在提升系统可靠性并解决寄生电感问题，NSG65N15K 则集成了半桥驱动器和两颗650V耐压的 GaN 开关管，进一步优化性能，减少组件数量，提高功率密度，NSD2621 通过采用隔离技术，显著提升了共模瞬变抗扰度，能耐受700V负压，有效抑制高频干扰，确保栅极驱动信号的稳定性。

3、由于 GaN 和 SiC 宽禁带电力电子器件具有独特的优异特性，它们主要被用于中高端应用领域，与硅全控器件不可能完全取代硅半控器件一样，GaN 和 SiC 在未来也不太可能全面替代硅功率 MOSFET、IGBT 和 GTO（包括 IGCT）。

4、英飞凌通过参与 ALL2GaN 项目，进一步巩固了在 GaN 领域的地位，该项目专注于欧洲供应链，致力于开发 GaN 功率设计，主要服务于电信、数据中心和服务器等应用，虽然英飞凌在中国市场尚未针对 GaN 进行新的布局，但 GaN Systems 的加入为其提供了强有力的支撑，该公司已在中国设立办事处，积极拓展亚太地区的市场。

超60亿! GaN Systems 正式并入英飞凌

1、英飞凌并未满足于 SiC 技术的成就，与深圳安克创新成立的创新应用中心，共同探索 GaN 技术在快速充电领域的应用潜力，双方通过新一代 HFB 控制器和 CoolGaN IPS 产品，共同研发更高功率密度和能效的快充解决方案，推动 GaN 技术在消费电子领域的普及。

2、在 GaN 功率半导体领域，英飞凌此次收购 GaN Systems，是继 2023 年 3 月以约 63 亿元人民币的价格收购 GaN Systems 后的又一重要并购，这一系列收购行为凸显了市场对 GaN 技术的高度重视和期待，预示着 GaN 功率半导体领域将迎来更加广阔的发展空间。

3、这一并购不仅为扩产项目提供了充足的资金支持，确保项目顺利推进，而且通过整合双方优势，增强了市场竞争力和盈利能力，以 GaN Systems 并入英飞凌和 Transphorm 并入瑞萨电子为例，这种整合策略能够产生显著的协同效应。

4、英飞凌完成对 GaN Systems 的收购，标志着全球功率半导体行业迈入了一个新的整合阶段，英飞凌以 3 亿美元的价格收购 GaN Systems，经过半年的审批流程，现已正式合并，GaN Systems 的加入为英飞凌带来了更强大的竞争力。

氮化镓是金属材料吗

1、氮化镓并非传统意义上的金属材料，而是一种由镓和氮元素构成的化合物，属于金属氮化物，它以其卓越的物理和化学性质，在近年来广泛应用于电子、光电子和微电子学领域，被誉为21世纪最具潜力的新型材料之一。

2、氮化镓实际上是一种无机非金属材料，由氮和镓元素组成，属于第三代半导体材料，与金属不同，氮化镓是一种具有直接能隙的半导体，具备优异的电学、光学和力学性能，在电子、光电子、高频高功率器件和光电器件等领域有着广泛的应用。

3、氮化镓是一种人工合成材料，属于无机非金属材料范畴，主要包括先进陶瓷、非晶体材料、人工晶体、无机涂层和无机纤维等类型。

4、氮化镓不是金属，而是一种半导体材料，由镓和氮元素组成，化学式为 GaN，分子量约为 8730 克/摩尔，作为第三代半导体的关键材料，氮化镓对于半导体光电产业至关重要，它不仅推动了数字存储技术和通信技术的进步，也是 IT 行业变革的重要推动力。

GaN-on-Si 如何帮助提高功率转换和电源管理的效率

1、GaN-on-Si 技术通过消除体二极管的性能限制，使得新型拓扑结构如全桥图腾柱 PFC 成为可能，从而显著提升电源性能，英飞凌的 CoolGaN™ 技术不仅在器件的 RDS(on) 值和线性输出电荷方面优于硅，还具备超高速开关能力，适应高频操作，有助于减小转换器的体积和重量。

2、英飞凌推出的全新 OptiMOS 3 30V N 沟道 MOSFET 家族，能够将标准电源产品的可靠性和能源效率提升 1%~3%，并在导通电阻、功率密度和门极电荷等关键功率转换指标上达到行业领先水平。

3、OptiMOS 3 30V N 沟道 MOSFET 家族还通过优化设计，提高了电源产品的稳定性和效率，进一步降低了能耗，为绿色环保的电源管理提供了有力支持。